Podle vyjádření obou firem z tohoto týdne jejich společný podnik IM Flash Technologies (založený v roce 2005) začíná s masovou výrobou flash NAND čipů s pomocí 34nm technologie.
Do konce tohoto roku pak IM Flash Technologies očekává, že již zhruba polovina flashových čipů vyráběná v továrně v Lehi (v americkém Utahu) bude využívat právě 34nm technologii. Pro zajímavost, v jednom nanometru jsou zahrnuty tři až šest atomů, takže nejmenší tranzistory v nových paměťových čipech mohou být složeny z pouhé stovky atomů.
| Intel ve svých vlastních továrnách, podobně jako například firma TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing), dosud používá 40–45nm výrobní proces. Jemnější struktura čipů však může přinášet vyšší výkon (díky menší vzdálenosti mezi tranzistory) a také nižší spotřebu. IM Flash Technologies plánuje, že nové čipy najdou využití v SSD discích, paměťových kartách, digitálních fotoaparátech a kamerách nebo i hudebních přehrávačích. |
Další z velkých výrobců na tomto poli, Samsung, v současnosti upgraduje svůj 42nm výrobní proces a podle svých slov plánuje v příštím roce začít s produkcí 30nm flash čipů. První prototypy 64 Gb NAND flash čipů, vyrobených touto technologií, již Samsung předvedl v tomto roce.
PŘEDPLATNÉ
ČLÁNKY DO MAILU